GermanWikipedia - /page/entry.mu

Micron Document

`:top

Eine `!Diode`! ist ein `F33f`_`[elektronisches Bauelement`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Elektronisches_Bauelement]`_`f auf `F33f`_`[Halbleiterbasis`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Halbleiter]`_`f, das `F33f`_`[elektrischen Strom`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Elektrischer_Strom]`_`f in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt. Sie hat eine Durchlassrichtung und eine Sperrrichtung.

Das Verhalten wurde 1874 von `F33f`_`[Ferdinand Braun`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Ferdinand_Braun]`_`f in Punktkontakten auf Halbleitern (`F33f`_`[Bleisulfid`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Bleisulfid]`_`f) entdeckt. Die ersten Halbleiterdioden, die man entwickelte, waren `F33f`_`[Kristalldetektoren`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Detektorempfänger]`_`f und `F33f`_`[Spitzendioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Spitzendiode]`_`f. Bei diesen Diodentypen verwendete man eine feine Metallspitze (meist aus `F33f`_`[Wolfram`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Wolfram]`_`f), die auf ein `F33f`_`[einkristallines`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Einkristall]`_`f Halbleiterplättchen (z. B. aus `F33f`_`[Galenit`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Galenit]`_`f) drückte und dort einen lokalen Metall-Halbleiter`F33f`_`[-Übergang`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Pn-Übergang]`_`f herstellte.

Einfach als `*Diode`* werden überwiegend solche Halbleiterdioden bezeichnet, die aus Silizium mit den Methoden der `F33f`_`[Halbleitertechnik`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Halbleitertechnik]`_`f hergestellt werden und einen `F33f`_`[p-n-Übergang`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=P-n-Übergang]`_`f enthalten. Ausführungen mit einem `F33f`_`[Metall-Halbleiter-Übergang`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Metall-Halbleiter-Übergang]`_`f (`F33f`_`[Schottky-Effekt`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Schottky-Effekt]`_`f) oder aus anderem Material werden durch Namenszusätze gekennzeichnet, beispielsweise `F33f`_`[Schottkydiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Schottkydiode]`_`f oder `F33f`_`[Germaniumdiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Germaniumdiode]`_`f.

Dioden werden unter anderem zur `F33f`_`[Gleichrichtung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Gleichrichtung]`_`f und `F33f`_`[Signalverarbeitung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Signalverarbeitung]`_`f eingesetzt. Daneben zeigt der Halbleiterübergang weitere nutzbare Eigenschaften, die z. B. in `F33f`_`[Foto-`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Photodiode]`_`f, `F33f`_`[Z-`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Z-Diode]`_`f, `F33f`_`[Leuchtdioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Leuchtdiode]`_`f und `F33f`_`[Halbleiterdetektoren`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Halbleiterdetektor]`_`f ausgenutzt werden.

>>Contents

• `F0af`_`[Aufbau und Physik einer Halbleiterdiode`#aufbau-und-physik-einer-halbleiterdiode]`_`f

• `F0af`_`[Mechanisches Ersatzmodell der Diode`#mechanisches-ersatzmodell-der-diode]`_`f

• `F0af`_`[Elektrisches Verhalten`#elektrisches-verhalten]`_`f

• `F0af`_`[Formelzeichen`#formelzeichen]`_`f

• `F0af`_`[Statisches Verhalten`#statisches-verhalten]`_`f

• `F0af`_`[Dynamisches Kleinsignalmodell`#dynamisches-kleinsignalmodell]`_`f

• `F0af`_`[Schaltverhalten`#schaltverhalten]`_`f

• `F0af`_`[Kennzeichnung und Beschriftung`#kennzeichnung-und-beschriftung]`_`f

• `F0af`_`[JEDEC`#jedec]`_`f

• `F0af`_`[Pro Electron`#pro-electron]`_`f

• `F0af`_`[Kenngrößen`#kenngr-en]`_`f

• `F0af`_`[Diodentypen und Anwendung`#diodentypen-und-anwendung]`_`f

• `F0af`_`[Wortherkunft`#wortherkunft]`_`f

• `F0af`_`[Literatur`#literatur]`_`f

• `F0af`_`[Weblinks`#weblinks]`_`f

• `F0af`_`[Einzelnachweise`#einzelnachweise]`_`f

-─

>>Aufbau und Physik einer Halbleiterdiode

Die Grundlage der `F33f`_`[Halbleiter`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Halbleiter]`_`f-Diode ist entweder ein p-n-dotierter Halbleiterkristall (meist aus `F33f`_`[Silizium`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Silizium]`_`f, aber auch Germanium, siehe `F33f`_`[Germaniumdiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Germaniumdiode]`_`f, oder `F33f`_`[Galliumarsenid`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Galliumarsenid]`_`f) oder ein Metall-Halbleiter-Übergang (siehe `F33f`_`[Schottky-Diode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Schottky-Diode]`_`f).

Die Leitfähigkeit eines solchen Übergangs hängt ab von der Polung der Betriebsspannung an `F33f`_`[Anode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Anode]`_`f (p-`F33f`_`[dotiert`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Dotierung]`_`f) und `F33f`_`[Kathode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Kathode]`_`f (n-`F33f`_`[dotiert`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Dotierung]`_`f), also von der Stromflussrichtung. Der `F33f`_`[p-n-Übergang`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=P-n-Übergang]`_`f (graue Fläche) ist eine Zone, die frei von beweglichen `F33f`_`[Ladungsträgern`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Ladungsträger_(Physik)]`_`f ist, da positive Ladungsträger (sog. `F33f`_`[Defektelektronen`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Defektelektron]`_`f oder `*Löcher`*) des p-dotierten Kristalls und negative Ladungsträger (freie Elektronen) des n-dotierten Kristalls auf die jeweils andere Seite des pn-Übergangs diffundieren und dort durch `F33f`_`[Rekombination`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Rekombination_(Physik)]`_`f verschwinden (siehe Artikel `F33f`_`[pn-Übergang`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Pn-Übergang]`_`f). Die ursprünglichen Quellen der Ladungsträger, die Dotierungsatome, sind ortsfest und bilden nun als Ionen eine Raumladung, deren elektrostatisches Feld die beiden Ladungssorten voneinander fernhält und so die weitere Rekombination unterbindet. Über die ganze Raumladungszone hinweg entsteht die `F33f`_`[Diffusionsspannung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Diffusionsspannung]`_`f. Diese kann durch eine von außen angelegte `F33f`_`[Spannung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Elektrische_Spannung]`_`f – je nach Polung – kompensiert werden, dann wird der p-n-Übergang leitfähig, oder verstärkt werden, dann bleibt er gesperrt.`:cite-ref-1[`F5bf`_`[1`#cite-note-1]`_`f]

>>Mechanisches Ersatzmodell der Diode

Die Funktion einer Gleichrichterdiode im Stromkreis kann man sich am einfachsten wie ein `F33f`_`[Rückschlagventil`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Rückschlagventil]`_`f im Wasserkreislauf vorstellen: Wenn ein Druck (eine Spannung) auf dieses Ventil (Diode) in Sperrrichtung wirkt, wird der Wasser-(Strom-)fluss blockiert. In Durchlassrichtung muss der Druck (die Spannung) groß genug werden, um die Federkraft des Ventils (= Schwellen- oder Schleusenspannung der Diode) zu überwinden. Dadurch öffnet das Ventil (die Diode), und der Strom kann fließen. Diesem Druck, welcher im mechanischen Modell zum Überwinden der Federkraft notwendig ist, entspricht bei einer Diode die so genannte `F33f`_`[Schwellenspannung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Schwellenspannung]`_`f ( U S {\\displaystyle U_{\\text{S}}} ) oder minimale Vorwärtsspannung (engl. forward voltage drop), die in Flussrichtung an der Diode anliegen muss, damit sie in den leitenden Zustand übergeht. Bei gewöhnlichen Siliziumdioden liegt U S {\\displaystyle U_{\\text{S}}} im Bereich von 0,6 bis 0,7 V.

Das Rückschlagventil verhält sich wiederum entsprechend der `*Shockley-Formel`*, die zur Beschreibung der Halbleiterdiode entwickelt wurde (siehe unten bei `F33f`_`[Ideale Diode`#ideale-diode-shockley-gleichung]`_`f). Die Formel eignet sich daher zur näherungsweisen Berechnung von Ventilen.

>>Elektrisches Verhalten

Die Analyse elektrischer Schaltungen erfordert eine mathematische Beschreibung der Diode. Hierfür gibt es die grafische `F33f`_`[Strom-Spannungs-Kennlinie`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Strom-Spannungs-Kennlinie]`_`f, exakte Gleichungen und vereinfachte Modelle.

>>>Formelzeichen

Die detaillierte Betrachtung einer Diode erfordert spezifische Formelzeichen. Die folgende Tabelle erleichtert hierbei die Übersicht.

| Zeichen | Beschreibung |

|---|---|

| U D {\\displaystyle U_{\\text{D}}} | Spannung an der Diode |

| U S {\\displaystyle U_{\\text{S}}} | Schleusenspannung (auch Schwellenspannung genannt), Diode leitet in Durchlassrichtung |

| U F {\\displaystyle U_{\\text{F}}} | Flussspannung; Spannung an der Diode in Durchlassrichtung (engl. forward voltage ). Entspricht + U D {\\displaystyle +U_{\\text{D}}} (gleiches Vorzeichen); Verwendung teils identisch mit U S {\\displaystyle U_{\\text{S}}} |

| U R {\\displaystyle U_{\\text{R}}} | Sperrspannung ; Spannung an der Diode in Sperrrichtung (engl. reverse voltage ). Entspricht − U D {\\displaystyle -U_{\\text{D}}} (gedrehtes Vorzeichen) |

| U D,BR {\\displaystyle U_{\\text{D,BR}}} | Durchbruchspannung (engl. breakdown voltage ) |

| I D {\\displaystyle I_{\\text{D}}} | Strom durch die Diode |

| I S {\\displaystyle I_{\\text{S}}} | Sättigungssperrstrom |

| I D,D {\\displaystyle I_{\\text{D,D}}} ; I F {\\displaystyle I_{\\text{F}}} | Diffusionsstrom ; Strom durch die Diode in Durchlassrichtung (engl. forward current ) |

| I D,R {\\displaystyle I_{\\text{D,R}}} ; I R {\\displaystyle I_{\\text{R}}} | Leckstrom ; Strom durch die Diode in Sperrrichtung (engl. reverse current ) |

| I S,R {\\displaystyle I_{\\text{S,R}}} | Leck-Sättigungssperrstrom |

| I D,BR {\\displaystyle I_{\\text{D,BR}}} | Durchbruchstrom ; Strom durch die Diode beim (Rückwärts-)Durchbruch (engl. breakdown current ) |

| n {\\displaystyle n} | Emissionskoeffizient |

| U T {\\displaystyle U_{\\text{T}}} | Temperaturspannung |

| U G {\\displaystyle U_{\\text{G}}} | Bandabstandsspannung (engl. gap voltage ) |

| R B {\\displaystyle R_{\\text{B}}} | Bahnwiderstand ; ohmscher Widerstand des Halbleitermaterials |

| r D {\\displaystyle r_{\\text{D}}} | Differentieller Widerstand |

| A {\\displaystyle A} oder A P {\\displaystyle AP} | Arbeitspunkt |

| C D {\\displaystyle C_{\\text{D}}} | Diodenkapazität |

| C S {\\displaystyle C_{\\text{S}}} | Sperrschichtkapazität |

| C D,D {\\displaystyle C_{\\text{D,D}}} | Diffusionskapazität |

Zusätzlich sind die folgenden Naturkonstanten wichtig:

| Zeichen | Beschreibung |

|---|---|

| k {\\displaystyle k} | Boltzmannkonstante |

| q {\\displaystyle q} | Elementarladung |

>>>Statisches Verhalten

Das statische Verhalten beschreibt eine Diode bei Gleichspannung und gilt auch näherungsweise für Wechselspannungen mit niedriger Frequenz, etwa 50 Hz Netzspannung, aber je nach Ausführung auch bis in den MHz-Bereich. Durch eine veränderte Spannung bedingte Umverteilungsvorgänge im p-n-Übergang bleiben unberücksichtigt.

>>>>Kennlinie

Am anschaulichsten beschreibt die `F33f`_`[Strom-Spannungs-Kennlinie`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Strom-Spannungs-Kennlinie]`_`f das statische Verhalten einer Diode. Die Kennlinie teilt sich dabei in drei Abschnitte: den Durchlassbereich, den Sperrbereich und den Durchbruchbereich.

Wie die Kennlinie zeigt, fließt im Durchlassbereich trotz anliegender kleiner Spannung kein merklicher Strom I F {\\displaystyle I_{\\mathrm {F} }} durch die Diode (bezogen auf in der Technik übliche Ströme). Erst ab einer Spannung von etwa 0,4 V beginnt bei Si-Dioden der Strom merklich anzusteigen. Ab etwa 0,6 V bis 0,7 V nimmt dann der Strom stark zu, und man spricht deswegen von der Schleusenspannung U S {\\displaystyle U_{\\mathrm {S} }} . Bei Schottky- und Germanium-Dioden fließt ein nennenswerter Strom bereits bei etwa 0,2 V und die Schleusenspannung liegt bei etwa 0,3 V bis 0,4 V.

Im Sperrbereich fließt ein sehr geringer Strom, der sogenannte Leckstrom I R {\\displaystyle I_{\\mathrm {R} }} . Dabei weisen Ge- und Schottky-Dioden wesentlich höhere Werte auf als Si-Dioden.

Je nach Dotierung beginnt bei Si-Dioden bei U D {\\displaystyle U_{\\mathrm {D} }} bzw. − − U R {\\displaystyle -U_{\\mathrm {R} }} ab etwa −50 V bis −1000 V der Durchbruchbereich und die Diode wird in Sperrrichtung leitend. Dasselbe gilt für eine Schottky-Diode bei etwa −10 V bis −200 V. Diese `*Durchbruchsspannung`* U B R {\\displaystyle U_{\\mathrm {BR} }} wird mit positivem Vorzeichen angegeben. Durch spezielle `F33f`_`[Dotierungen`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Dotierung]`_`f werden bei Si-Dioden auch Durchbruchspannungen bis unter 5 V erreicht, was besonders bei `F33f`_`[Z-Dioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Z-Dioden]`_`f angewendet wird.

>>>>Ideale Diode / Shockley-Gleichung

Wegen der Nichtlinearität werden `F33f`_`[Vereinfachungen`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Ersatzschaltbild]`_`f verwendet, die das Verhalten nur näherungsweise wiedergeben, dabei aber eine leichtere Handhabung ermöglichen. Im einfachen Modell der Diode wird diese als ideales Rückschlagventil`:cite-ref-2[`F5bf`_`[2`#cite-note-2]`_`f] angesehen oder als Schalter,`:cite-ref-3[`F5bf`_`[3`#cite-note-3]`_`f]`:cite-ref-4[`F5bf`_`[4`#cite-note-4]`_`f] dessen Stellung von der Polung der angelegten Spannung abhängt. Die `*ideale Diode`* ist in der einen Richtung leitend ohne Spannungsabfall, in der Gegenrichtung sperrend ohne Leckstrom. Damit besteht die Kennlinie aus zwei `F33f`_`[Halbgeraden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Halbgerade]`_`f auf den Koordinatenachsen. In Gleichungsform wird die ideale Diode beschrieben

im Durchlassbereich durch U D = 0 {\\displaystyle U_{\\text{D}}=0} bei I D ≥ ≥ 0 {\\displaystyle I_{\\text{D}}\\geq 0} im Sperrbereich durch I D = 0 {\\displaystyle I_{\\text{D}}=0} bei U D ≤ ≤ 0 {\\displaystyle U_{\\text{D}}\\leq 0}

Die Zustände U D > 0 {\\displaystyle U_{\\text{D}}>0} und I D < 0 {\\displaystyle I_{\\text{D}}<0} existieren in diesem Modell nicht.

Sollen die Schleusenspannung und der nicht sprunghafte Kennlinienverlauf in die Beschreibung des Verhaltens einbezogen werden, so wie das im Bild weiter `F33f`_`[unten`#differentieller-widerstand]`_`f gezeigt wird mit weiterhin linearer Näherung, wird eine erweiterte Ersatzschaltung verwendet gemäß nebenstehendem Bild.`:cite-ref-5[`F5bf`_`[5`#cite-note-5]`_`f]`:cite-ref-6[`F5bf`_`[6`#cite-note-6]`_`f]`:cite-ref-7[`F5bf`_`[7`#cite-note-7]`_`f] Die Richtungen von Stromstärke und Spannung sind so gewählt wie im `F33f`_`[Verbraucher-Zählpfeilsystem`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Zählpfeil]`_`f. Bei gleichen Vorzeichen der beiden Größen verhält sich diese `F33f`_`[Spannungsquelle`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Spannungsquelle]`_`f als Besonderheit wie ein Verbraucher. Dieses zeigt sich in der Erwärmung der realen Diode.

Eine elektronische Schaltung, die beispielsweise zu Messzwecken die Funktion eines Gleichrichters wie eine ideale Diode übernimmt – ohne die Mängel der hohen Schleusenspannung und der nichtlinearen Kennlinie – wird unter `F33f`_`[Präzisionsgleichrichter`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Präzisionsgleichrichter]`_`f beschrieben.

Der Wirklichkeit am nächsten kommt die Kennlinie der Diode im Durchlassbereich gemäß der `F33f`_`[Shockley-Gleichung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Shockley-Gleichung]`_`f (benannt nach `F33f`_`[William Bradford Shockley`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=William_Bradford_Shockley]`_`f); sie ist ein Spezialfall der `F33f`_`[Arrhenius-Gleichung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Arrhenius-Gleichung]`_`f.

I D = I S ( e U D n U T − − 1 ) {\\displaystyle I_{\\text{D}}=I_{\\text{S}}\\,{\\Big (}\\mathrm {e} ^{\\frac {U_{\\text{D}}}{n\\;U_{\\text{T}}}}-1{\\Big )}} `F33f`_`[Sättigungssperrstrom`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Sättigungssperrstrom]`_`f (kurz: Sperrstrom) I S ≈ ≈ 10 − − 12 … … 10 − − 6 A {\\displaystyle I_{\\text{S}}\\approx 10^{-12}\\dots 10^{-6}\\mathrm {A} } Emissionskoeffizient n ≈ ≈ 1 … … 2 {\\displaystyle n\\approx 1\\dots 2} `F33f`_`[Temperaturspannung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Temperaturspannung]`_`f U T = k ⋅ ⋅ T q ≈ ≈ 25 m V {\\displaystyle U_{\\text{T}}={\\tfrac {k\\cdot T}{q}}\\approx {25\\;\\mathrm {mV} }} bei `F33f`_`[Raumtemperatur`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Raumtemperatur]`_`f `F33f`_`[absolute Temperatur`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Thermodynamische_Temperatur]`_`f T {\\displaystyle T} `F33f`_`[Boltzmann-Konstante`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Boltzmann-Konstante]`_`f k = 1,381 ⋅ ⋅ 10 − − 23 W s / K {\\displaystyle k={1{,}381}\\cdot 10^{-23}\\,\\mathrm {Ws/K} } `F33f`_`[Elementarladung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Elementarladung]`_`f q = 1,602 ⋅ ⋅ 10 − − 19 A s {\\displaystyle q=1{,}602\\cdot 10^{-19}\\;\\mathrm {As} }

Bei U D > n ⋅ ⋅ 120 m V {\\displaystyle U_{\\text{D}}>n\\cdot 120\\,\\mathrm {mV} } entsteht ein relativer `F33f`_`[Fehler`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Messabweichung]`_`f von < 1 %, wenn in der Klammer der zweite Summand weggelassen wird. Dann gilt

I D = I S exp ⁡ ⁡ U D n U T ; ln ⁡ ⁡ I D I S = 1 n U T ⋅ ⋅ U D {\\displaystyle I_{\\text{D}}=I_{\\text{S}}\\,\\exp {\\frac {U_{\\text{D}}}{n\\;U_{\\text{T}}}}\\ ;\\quad \\ln {\\frac {I_{\\text{D}}}{I_{\\text{S}}}}={\\frac {1}{n\\;U_{\\text{T}}}}\\cdot U_{\\text{D}}}

und die Kennlinie nach Shockley wird in `F33f`_`[einfach logarithmischer Darstellung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Logarithmische_Darstellung]`_`f eine Gerade.

Bei genauerer Betrachtung setzt sich der Diodenstrom aus dem `*Diffusionsstrom`* I D,D {\\displaystyle I_{\\text{D,D}}} unter Berücksichtigung des `*Hochstromeffekts`*, dem `*Leckstrom`* I D,R {\\displaystyle I_{\\text{D,R}}} und dem `*Durchbruchsstrom`* I D,BR {\\displaystyle I_{\\text{D,BR}}} zusammen:

I D = I D,D + I D,R + I D,BR {\\displaystyle I_{\\text{D}}=I_{\\text{D,D}}+I_{\\text{D,R}}+I_{\\text{D,BR}}}

>>>>Temperaturabhängigkeit

Die Diodenkennlinie variiert mit der Temperatur. In der Shockley-Gleichung sind zwei temperaturabhängige Terme enthalten:

U T ( T ) = k ⋅ ⋅ T q = 86 , 17 μ μ V K ⋅ ⋅ T ≈ ≈ 25 , 8 m V bei T = 300 K {\\displaystyle {\\begin{aligned}U_{\\text{T}}(T)&={\\frac {k\\cdot T}{q}}=86{,}17\\;{\\frac {\\mathrm {\\mu V} }{\\mathrm {K} }}\\cdot T\\\\&\\approx 25{,}8\\;\\mathrm {mV} {\\text{ bei }}T=300\\;\\mathrm {K} \\end{aligned}}}

I S ( T ) = I S ( T 0 ) ⋅ ⋅ exp ⁡ ⁡ [ ( T T 0 − − 1 ) ⋅ ⋅ U G n U T ] ⋅ ⋅ ( T T 0 ) x n mit x ≈ ≈ 3 {\\displaystyle {I_{\\text{S}}(T)}={I_{\\text{S}}(T_{0})}\\cdot {\\exp \\left[\\left({T \\over T_{0}}-1\\right)\\cdot {{U_{\\text{G}}} \\over {nU_{\\text{T}}}}\\right]}\\cdot {\\left({T \\over T_{0}}\\right)^{\\frac {x}{n}}{\\text{ mit }}x\\approx 3}}

Dabei sind

• I S ( T 0 ) {\\displaystyle {I_{\\text{S}}(T_{0})}} der bei der Temperatur T 0 {\\displaystyle T_{0}} als bekannt vorausgesetzte Sperrstrom,`:cite-ref-8[`F5bf`_`[8`#cite-note-8]`_`f]

• U G {\\displaystyle U_{\\text{G}}} die `F33f`_`[Bandabstandsspannung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Bandlücke]`_`f (`*gap voltage`*).

Für `F33f`_`[Silizium`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Silizium]`_`f gilt U G = 1 , 12 e V q = 1 , 12 V {\\displaystyle U_{\\text{G}}={\\frac {1{,}12\\,\\mathrm {eV} }{q}}=1{,}12\\,\\mathrm {V} } . Diese Spannung dient (oft temperaturkompensiert) in der `F33f`_`[Bandabstandsreferenzschaltung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Bandabstandsreferenz]`_`f zur Erzeugung von Referenzspannungen.

Zusätzlich muss man auch die Temperaturabhängigkeit der Spannung berücksichtigen:

∂ ∂ U D ∂ ∂ T | I D = const. = U D − − U G − − 3 ⋅ ⋅ U T T ≈ ≈ − − 1 , 7 m V K bei T = 300 K und U D ( 300 K ) = 0 , 7 V {\\displaystyle {\\begin{aligned}\\left.{\\frac {\\partial U_{\\text{D}}}{\\partial T}}\\right|_{I_{\\text{D}}={\\text{const.}}}&={\\frac {U_{\\text{D}}-U_{\\text{G}}-3\\cdot U_{\\text{T}}}{T}}\\\\&\\approx -1{,}7\\,\\mathrm {{\\frac {mV}{K}}{\\text{ bei }}T=300\\;\\mathrm {K} {\\text{ und }}U_{\\text{D}}(300\\;\\mathrm {K} )=0{,}7\\,\\mathrm {V} } \\end{aligned}}}

Dieser Temperaturdurchgriff ist im relevanten Temperaturbereich um 300 K konstant genug, um damit anhand der etwa linearen Temperaturabhängigkeit der Flussspannung Temperaturmessungen vornehmen zu können.

Die Spannung von etwa 0,7 V kann in der Praxis tatsächlich für viele Überschlagsrechnungen als Wert der Flussspannung von Siliziumdioden und p-n-Übergängen angesetzt werden.

>>>>Diffusionsstrom

Der `*`F33f`_`[Diffusionsstrom`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Diffusionsstrom]`_`f`* tritt im mittleren Durchlassbereich auf, wo er über die anderen Effekte dominiert. Die Formel ergibt sich aus der Shockley-Gleichung mit:

I D,D = I S ( e U D n U T − − 1 ) {\\displaystyle I_{\\text{D,D}}=I_{\\text{S}}{\\Big (}\\mathrm {e} ^{\\frac {U_{\\text{D}}}{nU_{\\text{T}}}}-1{\\Big )}}

Bei Schottky-Dioden kann mit derselben Formel der `*Emissionsstrom`* beschrieben werden.

>>>>Hochstromeffekt

Der Hochstromeffekt bewirkt eine Zunahme von n {\\displaystyle n} im Bereich der mittleren Ströme auf 2 n {\\displaystyle 2n} bei I K {\\displaystyle I_{K}} für I D {\\displaystyle I_{D}} gegen unendlich. Hierbei beschreibt der `*Kniestrom`* I K {\\displaystyle I_{K}} die Grenze zum `*Hochstrombereich`*. Es fließt dadurch weniger Strom, und die Kennlinie besitzt einen flacheren, aber weiterhin exponentiellen Verlauf.

>>>>Leckstrom (Rekombinationsstrom)

Beim Anlegen einer Sperrspannung ( U D < 0 ) {\\displaystyle (U_{\\text{D}}<0)} werden die Elektronen und Löcher zu den jeweiligen Kontakten abgeführt, damit vergrößert sich die Raumladungszone und die Diode sollte keinen Strom leiten. In der Praxis misst man aber weiterhin einen geringen Strom, den sogenannten Leckstrom (Sperrstrom). Er resultiert aus der Diffusion von Ladungsträgern durch die Raumladungszone in den entgegengesetzt dotierten Bereich, wo sie dann aufgrund der angelegten Spannung abgeführt werden. Hierbei liefert die p-Zone Elektronen und die n-Zone Löcher, welche als Minoritätsladungsträger zum Sperrstrom führen.

Für die mathematische Berechnung gilt:

I D,R = I S,R ⋅ ⋅ ( e U D n R ⋅ ⋅ U T − − 1 ) ⋅ ⋅ ( ( 1 − − U D U diff ) 2 + 5 ⋅ ⋅ 10 − − 3 ) m S 2 {\\displaystyle I_{\\text{D,R}}\\ =\\ {I_{\\text{S,R}}\\cdot {\\bigg (}\\mathrm {e} ^{{U_{\\text{D}}} \\over {n_{R}\\cdot U_{\\text{T}}}}-1{\\bigg )}\\cdot {\\Bigg (}{{\\bigg (}1-{{U_{\\text{D}}} \\over {U_{\\text{diff}}}}{\\bigg )}}^{\\!2}+5\\cdot {10^{-3}}{\\Bigg )}^{\\!\\!{\\frac {m_{\\text{S}}}{2}}}}}

mit

• I S,R {\\displaystyle I_{\\text{S,R}}} – `*Leck-Sättigungssperrstrom`*

• n R ≥ ≥ 2 {\\displaystyle n_{\\text{R}}\\geq 2} – `*Emissionskoeffizient`* in Sperrrichtung

• U diff ≈ ≈ 0 , 5 … … 1 V {\\displaystyle U_{\\text{diff}}\\approx {{0{,}5\\dots 1}\\,{\\text{V}}}} – `*Diffusionsspannung`*

• m S ≈ ≈ 1 3 … … 1 2 {\\displaystyle m_{\\text{S}}\\approx {{\\tfrac {1}{3}}\\dots {\\tfrac {1}{2}}}} – `*Kapazitätskoeffizient`*

Der Sperrstrom ist stark spannungs- und temperaturabhängig und hängt von der Herstellungstechnologie sowie Reinheit und Störstellenarmut ab.

>>>>Durchbruch

Der Sperrstrom einer pn-Diode in Sperrpolung ist im Allgemeinen gering. Vergrößert man jedoch die Spannung in Sperrrichtung U R = − − U D {\\displaystyle U_{\\mathrm {R} }=-U_{\\mathrm {D} }} weiter, so steigt der Sperrstrom I R = − − I D {\\displaystyle I_{\\mathrm {R} }=-I_{\\mathrm {D} }} ab einer bestimmten Sperrspannung zunächst langsam und dann schlagartig an. Diese Zunahme des Sperrstroms (reverse current) nennt man allgemein „Durchbruch“, und die zugehörige Spannung wird als Durchbruchspannung U B R > − − U D {\\displaystyle U_{\\mathrm {BR} }>-U_{\\mathrm {D} }} bezeichnet. Die Durchbruchspannung einer Diode hängt allgemein vom Halbleitermaterial und der Dotierung ab und kann für Gleichrichterdioden im Bereich zwischen 50 und 1000 V liegen.

I D , B R = − − I B R ⋅ ⋅ e − − U D + U B R n B R ⋅ ⋅ U T {\\displaystyle I_{\\mathrm {D,BR} }={-I_{\\mathrm {BR} }}\\cdot \\mathrm {e} ^{-{{U_{\\mathrm {D} }+U_{\\mathrm {BR} }} \\over {n_{\\mathrm {BR} }\\cdot U_{\\mathrm {T} }}}}}

mit I B R {\\displaystyle I_{\\mathrm {BR} }} , dem Durchbruchskniestrom, und n B R ≈ ≈ 1 {\\displaystyle n_{\\mathrm {BR} }\\approx 1} , dem Durchbruch-Emissionskoeffizient.

Für die meisten Halbleiterdioden ist dieser Zustand unerwünscht, da er bei gewöhnlichen Dioden aufgrund der hohen Verlustleistung und des dünnen, eingeschnürten Stromflusskanals das Bauelement zerstört. Ursache für den Durchbruch sind sehr hohe `F33f`_`[elektrische Feldstärken`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Elektrostatik]`_`f. Es lassen sich drei unterschiedliche Mechanismen unterscheiden: der Lawinen-, der Zener- und der thermische Durchbruch.

Der `F33f`_`[Lawinendurchbruch`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Lawinendurchbruch]`_`f (auch Avalanchedurchbruch oder Avalancheeffekt genannt) zeichnet sich durch eine Ladungsträgervervielfachung durch Stoßionisation aus. Er wird beispielsweise bei der `F33f`_`[IMPATT-`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=IMPATT-Diode]`_`f und `F33f`_`[Suppressordiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Suppressordiode]`_`f, der `F33f`_`[Avalanche-Photodiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Avalanche-Photodiode]`_`f, sowie bei `F33f`_`[Z-Dioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Z-Diode]`_`f (auch `F33f`_`[Zener-Dioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Zener-Diode]`_`f genannt) höherer Spannung genutzt (`*siehe auch unter `F33f`_`[Avalanche-Diode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Avalanche-Diode]`_`f`*). Der Lawinendurchbruch ist auch bei manchen Gleichrichterdioden-Typen (Lawinengleichrichterdiode, Avalanche Type) zulässig und spezifiziert, so dass diese bei einmaligen oder periodischen Überspannungsereignissen bis zu bestimmten Energien nicht zerstört werden.

Bei Netzdioden, z. B. 1N4007 ist das Überschreiten der maximal zulässigen Sperrspannung – auch kurzfristig für wenige Mikrosekunden – nicht zulässig. Der dann fließende Lawinenstrom führt unmittelbar zur Zerstörung der Sperrschicht. Für den Betrieb von Diodengleichrichtern am Netz sind Überspannungsableiter, z. B. `F33f`_`[Varistoren`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Varistor]`_`f erforderlich, die die Netz-Überspannung auf ein für die Gleichrichterdioden zulässiges Maß begrenzen.

Beim `F33f`_`[Zener-Durchbruch`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Zener-Effekt]`_`f werden hingegen durch eine spezielle Dotierung die Energiebänder stark verschoben. Beim Überschreiten der Durchbruchspannung – in diesem Fall spricht man meist von der Zenerspannung U Z {\\displaystyle U_{\\mathrm {Z} }} – tritt ein `F33f`_`[Tunneleffekt`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Tunneleffekt]`_`f auf, der es Valenzbandelektronen ermöglicht, ohne Energieaufnahme vom Valenzband in das Leitungsband zu wechseln. Der Zener-Durchbruch wird bei Z-Dioden bis etwa 5 Volt verwendet und dient unter anderem der Bereitstellung von Referenzspannungen.

Der `F33f`_`[thermische Durchbruch`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Thermischer_Durchbruch]`_`f beschreibt den Zusammenbruch der Sperrspannung aufgrund hoher Temperatur und der damit verbundenen Ladungsträgergeneration. In der Regel führt er zur Zerstörung der Diode durch Diffusionsvorgänge.

>>>>Differentieller Widerstand

Der `F33f`_`[differentielle Widerstand`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Differentieller_Widerstand]`_`f ergibt sich aus der Tangente durch den Arbeitspunkt der Diode. Er wird auch als dynamischer Widerstand bezeichnet. Durch die Verwendung einer Geraden anstatt der tatsächlichen Exponentialfunktion werden die benötigten Rechenschritte wesentlich vereinfacht.

r D = d U D d I D | A = n ⋅ ⋅ U T I D, A + I S ≈ ≈ I D,A ≫ ≫ I S n ⋅ ⋅ U T I D, A {\\displaystyle r_{\\text{D}}=\\left.{\\frac {\\mathrm {d} U_{\\text{D}}}{\\mathrm {d} I_{\\text{D}}}}\\right|_{A}={\\frac {n\\cdot U_{\\text{T}}}{I_{\\text{D, A}}+I_{\\text{S}}}}{\\stackrel {\\,I_{\\text{D,A}}\\gg I_{\\text{S}}\\,}{\\approx }}{\\frac {n\\cdot U_{\\text{T}}}{I_{\\text{D, A}}}}}

Arbeitspunkt: `*A`*

Bei großen Strömen wird r D {\\displaystyle r_{\\text{D}}} sehr klein, und der Bahnwiderstand R B {\\displaystyle R_{\\text{B}}} tritt zunehmend in Erscheinung. Dies ist ein realer Widerstand und rührt wesentlich aus der Leitfähigkeit des Grundmaterials des Diodenchips. Er ist im Ersatzschaltbild mit r D {\\displaystyle r_{\\text{D}}} `F33f`_`[in Serie`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Serienschaltung]`_`f.

Die Ersatzschaltung mit r D {\\displaystyle r_{\\text{D}}} und R B {\\displaystyle R_{\\text{B}}} eignet sich je nach Diodentyp nur bis zu Frequenzen von 10 bis 100 kHz. Bei höheren Frequenzen, wie sie auch beim Ein- und Ausschalten auftreten, muss man zusätzlich die kapazitiven Eigenschaften sowie die `F33f`_`[Sperrerholzeit`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Sperrerholzeit]`_`f der Diode berücksichtigen.

>>>>Bahnwiderstand

Der `*Bahnwiderstand`* R B {\\displaystyle R_{B}} wird durch den elektrischen Widerstand des Halbleitermaterials sowie dem Widerstand des Anschlusses am Halbleiter verursacht. Der Bahnwiderstand wird durch die folgende Formel berücksichtigt:

U D = U D ′ + I D ⋅ ⋅ R B {\\displaystyle U_{\\text{D}}=U'_{\\text{D}}+I_{\\text{D}}\\cdot R_{\\text{B}}}

>>>>Statisches Kleinsignalmodell

Das `F33f`_`[statische Kleinsignalmodell`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Kleinsignalverhalten]`_`f wird zur Dimensionierung der Arbeitspunkteinstellung von einfachen Schaltungen herangezogen. Hier entspricht r D {\\displaystyle r_{\\text{D}}} dem bereits genannten `F33f`_`[differentiellen Widerstand`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Differentieller_Widerstand]`_`f (s. o.). Hinzu kommt gegebenenfalls noch der Bahnwiderstand.

r D = r D,D ≈ ≈ n ⋅ ⋅ U T I D,A {\\displaystyle r_{\\text{D}}=r_{\\text{D,D}}\\approx {\\frac {n\\cdot U_{\\text{T}}}{I_{\\text{D,A}}}}}

Für den Betrieb um den Rückwärtsdurchbruch, also als Z-Diode, dient der Parameter r Z {\\displaystyle r_{Z}} zur Modellierung des Verhaltens.

r Z = r D,BR = n BR ⋅ ⋅ U T | I D,A | {\\displaystyle r_{Z}=r_{\\text{D,BR}}={\\frac {n_{\\text{BR}}\\cdot U_{\\text{T}}}{\\left|I_{\\text{D,A}}\\right|}}}

>>>Dynamisches Kleinsignalmodell

Für Wechselstromanwendungen muss man auch die Kapazitäten der Diode berücksichtigen, welche vor allem bei hohen Frequenzen hervortreten. Hierbei unterscheidet man zwischen der Sperrschichtkapazität und der für Schaltanwendungen bedeutenden Diffusionskapazität.

Das `*dynamische Kleinsignalmodell`* berücksichtigt zusätzlich zum statischen Kleinsignalmodell auch die Kapazität der Diode. Damit kann man auch einfache (Niederfrequenz-)Schaltungen mit Kapazitätsdioden dimensionieren.

r D ≈ ≈ n ⋅ ⋅ U T I D,A {\\displaystyle r_{\\text{D}}\\approx {{n\\cdot U_{\\text{T}}} \\over {I_{\\text{D,A}}}}}

C D ≈ ≈ τ τ T ⋅ ⋅ I D,A n ⋅ ⋅ U T + 2 ⋅ ⋅ C S0 = τ τ T r D + 2 ⋅ ⋅ C S0 {\\displaystyle C_{\\text{D}}\\approx {{{{\\tau }_{\\text{T}}\\cdot I_{\\text{D,A}}} \\over {n\\cdot U_{\\text{T}}}}+2\\cdot C_{\\text{S0}}}={{{\\tau }_{\\text{T}} \\over r_{\\text{D}}}+2\\cdot C_{\\text{S0}}}}

>>>>Sperrschichtkapazität

Der `F33f`_`[p-n-Übergang`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=P-n-Übergang]`_`f einer Diode hat je nach angelegter Spannung eine von freien (beweglichen) Ladungsträgern verarmte `F33f`_`[Raumladungszone`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Raumladungszone]`_`f. Diese wirkt wie das `F33f`_`[Dielektrikum`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Dielektrikum]`_`f eines `F33f`_`[Plattenkondensators`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Plattenkondensator]`_`f. Seine `F33f`_`[Kapazität`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Elektrische_Kapazität]`_`f ist abhängig von der Breite der Zone. Dieser Zusammenhang wird bei einer `*in Sperrrichtung`* gepolten Diode ausgenutzt.`:cite-ref-9[`F5bf`_`[9`#cite-note-9]`_`f] Die Sperrspannung ist definiert als U R = − − U D {\\displaystyle U_{\\text{R}}=-U_{\\text{D}}} , zur gezeigten Kennlinie steigt also die Sperrspannung nach links an. Mit steigender Sperrspannung verbreitert sich die ladungsfreie Zone, wodurch die Sperrschichtkapazität C S {\\displaystyle C_{\\text{S}}} abnimmt.

Dieses gilt für jede Diode, aber es gibt spezielle `F33f`_`[Kapazitätsdioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Kapazitätsdiode]`_`f, die auf eine große Kapazität und ferner auf ein großes C max / C min {\\displaystyle C_{\\text{max}}/C_{\\text{min}}} optimiert sind. Während z. B. für die gängige Kleinsignaldiode 1N914 C S < 4 pF {\\displaystyle C_{\\text{S}}<{\\text{ 4 pF}}} beträgt bei U R = 0 {\\displaystyle U_{\\text{R}}=0} , sind bei Kapazitätsdioden um zwei Zehnerpotenzen größere Werte zu erreichen bei U R > 0 {\\displaystyle U_{\\text{R}}>0} . Im jeweils empfohlenen Spannungsbereich kann das max/min–Verhältnis bei <2:1 liegen, aber auch bei >20:1.

Der Zusammenhang zwischen C S {\\displaystyle C_{\\text{S}}} und U R {\\displaystyle U_{\\text{R}}} lässt sich annähern durch`:cite-ref-10[`F5bf`_`[10`#cite-note-10]`_`f]`:cite-ref-11[`F5bf`_`[11`#cite-note-11]`_`f]

C S = C 0 ( 1 + U R U diff ) − − n {\\displaystyle C_{\\text{S}}=C_{0}\\left(1+{\\frac {U_{\\text{R}}}{U_{\\text{diff}}}}\\right)^{-n}}

mit U diff ≈ ≈ 0 , 7 V {\\displaystyle U_{\\text{diff}}\\approx 0{,}7{\\text{ V}}} und n ≈ ≈ 0 , 5 ( 0 , 3 bis 1 , 0 ) {\\displaystyle n\\approx 0{,}5\\ \\ (0{,}3{\\text{ bis }}1{,}0)} .

Derartig in Sperrrichtung betrieben wird die Diode als ein Kondensator eingesetzt, dessen Kapazität durch eine Gleichspannung steuerbar ist. Zu Anwendungen siehe unter `F33f`_`[Kapazitätsdiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Kapazitätsdiode]`_`f; zu weiteren Bauteileigenschaften siehe in Datenblättern, z. B. in`:cite-ref-12[`F5bf`_`[12`#cite-note-12]`_`f].

Wird die Diode `*in Durchlassrichtung`* in einem schmalen Spannungsbereich noch unterhalb der Schwellenspannung betrieben, so steigt die Kapazitätskennlinie nach rechts weiter an, bis der p-n-Übergang leitend wird und die Raumladungszone verschwindet.

>>>>Diffusionskapazität

Bei Anlegen einer Durchlassspannung kommt es in den Bahngebieten (also außerhalb der Raumladungszone) zu `F33f`_`[Minoritätsträgerüberschüssen`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Minoritätsträger]`_`f, die die so genannten `*Diffusionsladungen`* bilden. Diese räumlich getrennten Ladungen müssen bei Änderungen der Durchlassspannung auf- bzw. abgebaut werden und beeinflussen somit das dynamische Verhalten der Diode.

`*I`*DD wird als Diffusionsstrom bezeichnet, und τ τ T {\\displaystyle {\\tau }_{\\text{T}}} ist die so genannte `*Transitzeit`*:

C D,D ( U D ′ ) = ∂ ∂ Q D ∂ ∂ U D ′ = τ τ T ⋅ ⋅ I DD n ⋅ ⋅ U T ⋅ ⋅ 1 + I S 2 ⋅ ⋅ I K ⋅ ⋅ e U D ′ n ⋅ ⋅ U T 1 + I S I K ⋅ ⋅ e U D ′ n ⋅ ⋅ U T {\\displaystyle C_{\\text{D,D}}{\\left(U'_{\\text{D}}\\right)}={\\frac {\\partial Q_{\\text{D}}}{\\partial U'_{\\text{D}}}}={\\frac {{\\tau }_{\\text{T}}\\cdot I_{\\text{DD}}}{n\\cdot U_{\\text{T}}}}\\cdot {\\frac {1+{\\frac {I_{\\text{S}}}{2\\cdot I_{\\text{K}}}}\\cdot e^{\\frac {U'_{\\text{D}}}{n\\cdot U_{\\text{T}}}}}{1+{\\frac {I_{\\text{S}}}{I_{\\text{K}}}}\\cdot e^{\\frac {U'_{\\text{D}}}{n\\cdot U_{\\text{T}}}}}}}

Näherungsweise kann man auch annehmen, dass für den Diffusionsbereich I DD ≫ ≫ I DR {\\displaystyle I_{\\text{DD}}\\gg I_{\\text{DR}}} und damit auch I D ≈ ≈ I DD {\\displaystyle I_{\\text{D}}\\approx I_{\\text{DD}}} gilt. Daraus ergibt sich die Näherungsgleichung:

C D,D ≈ ≈ τ τ T ⋅ ⋅ I D n ⋅ ⋅ U T ⋅ ⋅ 1 + I D 2 ⋅ ⋅ I K 1 + I D I K I D ≪ ≪ I K ≈ ≈ τ τ T ⋅ ⋅ I D n ⋅ ⋅ U T {\\displaystyle C_{\\text{D,D}}\\approx {{\\frac {{\\tau }_{\\text{T}}\\cdot I_{\\text{D}}}{n\\cdot U_{\\text{T}}}}\\cdot {\\frac {1+{\\frac {I_{\\text{D}}}{2\\cdot I_{\\text{K}}}}}{1+{\\frac {I_{\\text{D}}}{I_{\\text{K}}}}}}{\\begin{matrix}_{\\ I_{\\text{D}}\\ll I_{\\text{K}}}\\\\{\\quad \\approx \\quad }\\\\{}\\end{matrix}}{\\frac {{\\tau }_{\\text{T}}\\cdot I_{\\text{D}}}{n\\cdot U_{\\text{T}}}}}}

• Bei `F33f`_`[Si`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Silizium]`_`f-Dioden ist τ τ T ≈ ≈ 1 … … 100 n s {\\displaystyle {\\tau }_{\\text{T}}\\approx 1\\dots 100\\,\\mathrm {ns} } .

• Bei `F33f`_`[Schottky-Dioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Schottky-Diode]`_`f ist τ τ T ≈ ≈ 1 … … 100 p s {\\displaystyle {\\tau }_{\\text{T}}\\approx 1\\dots 100\\,\\mathrm {ps} } , deshalb kann bei Schottky-Dioden die Diffusionskapazität meist vernachlässigt werden.

Die Diffusionskapazität bzw. die Sperrerholzeit verursacht Verluste bei schnellen Schaltanwendungen (`F33f`_`[Schaltnetzteile`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Schaltnetzteil]`_`f); daher verwendet man hier – falls Schottkydioden aufgrund ihrer begrenzten Sperrspannung nicht angewendet werden können – besonders schnelle Siliziumdioden. Für Dioden in HF-Schalter wie der pin-Diode ist dagegen eine große Diffusionskapazität gewünscht, um eine niedrige Impedanz bei hohen Frequenzen zu erreichen.

>>>Schaltverhalten

Das Schaltverhalten kann nur sehr eingeschränkt mit dem Kleinsignalmodell beschrieben werden, denn hier ist das nichtlineare Verhalten der Diode wichtig. Die Beschreibung durch die Diffusionskapazität gibt für das „Ausschalten“ zwar ein qualitativ passendes Bild, liegt aber wegen der Nichtlinearität quantitativ daneben.

Der Wechsel von der Stromleitung in Durchlassrichtung zum Sperrverhalten geht bei einer PN-Diode nicht sofort. Zuerst müssen die zusätzlichen Minoritätsladungsträger entfernt werden. Wenn nicht auf die Rekombination gewartet wird, fließen die Minoritätsladungsträger als `*Reverse-Recovery-Ladung`* ( Q r r {\\displaystyle Q_{r}r} ) als kurzer Strompuls in Sperrrichtung ab. Erst danach wird die Spannung negativ und die Diode geht mehr oder weniger abrupt in den sperrenden Zustand über. Die Zeit, bis die Diode sperren kann, wird Sperrerholzeit ( t r r {\\displaystyle t_{rr}} ) genannt und ist von der Größenordnung der Transitzeit.

Diese Verzögerungszeit erlaubt es, langsame `F33f`_`[pin-Dioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Pin-Diode]`_`f als `*gleichstromgesteuerte Wechselspannungswiderstände`* für `F33f`_`[elektronische Schalter`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Elektronischer_Schalter]`_`f und regelbare Dämpfungsglieder für Hochfrequenzsignale (Periodendauer kurz gegen die Sperrerholzeit) zu verwenden. Umschaltbare Phasenschieber mit pin-Dioden werden auch in `F33f`_`[Phased-Array-Antennen`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Phased-Array-Antenne]`_`f benötigt.

Oft ist ein schneller Übergang in den sperrenden Zustand gefragt und es werden entsprechend schnelle Dioden mit kurzer Transitzeit (Größenordnung 5–200 ns für Silizium-PN-Dioden) angeboten. Bei Schottkydioden spielen die Minoritätsladungsträger keine wesentliche Rolle und entsprechend gibt es einen sehr schnellen Übergang in den sperrenden Zustand.

Auch der Übergang vom sperrenden Zustand in den leitenden Zustand geschieht nicht sofort, wenn auch recht schnell. Besonders bei PIN-Dioden für hohe Sperrspannungen braucht es eine gewisse Zeit, bis die Minoritätsladungsträger die Sperrschicht bzw. den intrinsischen Bereich geflutet haben. Bei einem sehr schnellen Anstieg des Stromes kann die Spannung in Flussrichtung anfangs deutlich höher werden als im stationären Fall. Die üblichen Bezeichnungen sind `!tfr`! für das Wieder-Erreichen von 110 % der nominalen Flussspannung und `!Vfp`! für den maximalen Wert des Überschwingens (`*overshoot`*) der Flussspannung.`:cite-ref-13[`F5bf`_`[13`#cite-note-13]`_`f] Bei „normalen“ Dioden (keine PIN) ist die Verzögerung recht kurz, bzw. das Überschwingen der Spannung gering und eher selten relevant.

Der Ab- und Zufluss der Minoritätsladungsträger repräsentiert die `F33f`_`[Schaltverluste`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Schaltverluste]`_`f der Diode, die bei höherfrequenten Leistungsanwendungen (`F33f`_`[Schaltnetzteile`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Schaltnetzteil]`_`f) die Leitverluste übersteigen können.

>>Kennzeichnung und Beschriftung

Siehe auch

Kennbuchstaben von Halbleiterbauelementen

Die Kathode unipolarer Dioden ist meist mit einem Ring oder Farbpunkt gekennzeichnet. Der Kathodenanschluss von `F33f`_`[Leuchtdioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Leuchtdiode]`_`f ist durch einen Farbpunkt, ein kürzeres Anschlussbein und/oder eine Gehäuseabflachung gekennzeichnet. Bei `F33f`_`[Laserdioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Laserdiode]`_`f ist die Anode meist mit dem Gehäuse verbunden.

Der Diodentyp kann nach zwei Standards gekennzeichnet sein: Gemäß JEDEC-Norm oder gemäß Pro-Electron, jeweils mit einem Farbcode oder einer Beschriftung. Bei der Bezeichnung mit Farbcode ist der erste Ring breiter aufgedruckt und bezeichnet gleichzeitig den Anschluss der Kathode. Bei der Beschriftung wird die Kathode mit einem Ring gekennzeichnet. Einige Hersteller führen eigene Benennungsschemen.

Auch erwähnenswert ist die Kennzeichnung auf `F33f`_`[Brückengleichrichtern`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Brückengleichrichter]`_`f mit je zwei Anschlüssen für die anzulegende `F33f`_`[Wechselspannung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Wechselspannung]`_`f „AC“ und die entnehmbare `F33f`_`[Gleichspannung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Gleichspannung]`_`f „+“ und „−“. In der Typenbezeichnung sind oft die maximal zulässige Sperrspannung und Nennstrom enthalten, wobei etwa „E40 C30“ für 40 V Spannung (E) und 30 mA Strom (C) steht.

>>>JEDEC

Die Beschriftung für Dioden gemäß `F33f`_`[JEDEC`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=JEDEC]`_`f setzt sich aus einer Zahl und einem Buchstaben sowie einer weiteren vierstelligen Zahl zusammen (z. B. „1N4148“). Die vierstellige Zahl kann hierbei in der folgenden Farbcodierung angegeben sein:

|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|

| Wert | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |

>>>Pro Electron

Die Beschriftung der Dioden nach `F33f`_`[Pro Electron`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Pro_Electron]`_`f setzt sich aus zwei bis drei Buchstaben und einer zwei- bis dreistelligen Zahl zusammen.

Beispiele: `*B A 159`*, `*B A T 20`*

1. Kennbuchstabe = Ausgangsmaterial

2. Kennbuchstabe = Hauptfunktion

3. Kennbuchstabe = Hinweis auf kommerziellen Einsatz (als dritter Buchstabe wird bei kommerziellen Bauelementen X, Y oder Z benutzt)

4. Ziffern = Registernummer (2 oder 3 Ziffern)

Die Buchstaben-Ziffernfolge kann alternativ als Farbcode angegeben werden:

|---|---|---|---|---|

| schwarz | | X | 0 | 0 |

| braun | AA | | 1 | 1 |

| rot | BA | | 2 | 2 |

| orange | | S | 3 | 3 |

| gelb | | T | 4 | 4 |

| grün | | V | 5 | 5 |

| blau | | W | 6 | 6 |

| violett | | | 7 | 7 |

| grau | | Y | 8 | 8 |

| weiß | | Z | 9 | 9 |

>>Kenngrößen

Halbleiterdioden (Signaldioden, Gleichrichterdioden, aber auch Laser-, Schutz- und Leuchtdioden) haben bestimmte Kenngrößen zur Spezifikation. Sie sind in den `F33f`_`[Datenblättern`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Datenblatt]`_`f genannt und sind wichtig für die Anwendung und die Bemessung deren Beschaltung mit anderen Bauteilen.

Die wichtigsten Kenngrößen und Grenzwerte von Dioden sind:

• maximal zulässige Sperrspannung (Gleichrichter- und Signaldioden, `F33f`_`[Leucht-`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Leuchtdiode]`_`f und `F33f`_`[Laserdioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Laserdiode]`_`f)

• maximaler Dauer- und Spitzenstrom in Durchlassrichtung (Gleichrichter- und Signaldioden, Leucht- und Laserdioden)

• die `*Flussspannung`* oder auch Schleusenspannung U F {\\displaystyle U_{\\text{F}}} bei einem bestimmten Strom (⅟10 Nennstrom für Gleichrichterdioden)

• bei `F33f`_`[Zenerdioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Zenerdiode]`_`f die maximale Dauer-Verlustleistung und die Zenerspannung

• bei Gleichrichter- und Signaldioden die Schaltzeit (auch Sperrverzögerungszeit oder Sperr-Erholzeit, engl. `*reverse recovery time`*, kurz trr genannt)

• bei `F33f`_`[Suppressordioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Suppressordiode]`_`f (TVS) die Ansprechzeit, die Energie und die Spitzenleistung, die beim `F33f`_`[Avalanche-Durchbruch`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Avalancheeffekt]`_`f in Sperrrichtung absorbiert werden kann, die Durchbruchspannung sowie die maximal `*ohne`* Durchbruch garantierte Spannung in Sperrrichtung

• insbesondere bei `F33f`_`[Schottkydioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Schottkydiode]`_`f der stark temperaturabhängige Leckstrom (Sperrstrom)

>>Diodentypen und Anwendung

Es gibt eine Reihe von Dioden für unterschiedliche Einsatzzwecke:

`!`F33f`_`[Gleichrichtung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Gleichrichter]`_`f`!

Die Umwandlung von Wechselspannung in Gleichspannung erfolgt bei niedrigen Frequenzen fast ausschließlich durch Silizium-PN-Dioden. Bei sehr großen Leistungen (`F33f`_`[Leistungsgleichrichter`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Leistungsgleichrichter]`_`f) verwendet man p+sn+-Dioden. Veraltete Typen sind die `F33f`_`[Germaniumdiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Germaniumdiode]`_`f, der `F33f`_`[Kupferoxydul-Gleichrichter`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Kupferoxydul-Gleichrichter]`_`f, der `F33f`_`[Selen-Gleichrichter`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Selen-Gleichrichter]`_`f („Trockengleichrichter“) und die Röhrendiode. `F33f`_`[Verpolungsschutz`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Verpolungsschutz]`_`f-Dioden und `F33f`_`[Freilaufdioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Freilaufdiode]`_`f sind ebenfalls Gleichrichterdioden. Hochspannungsdioden bestehen aus mehreren in einem Gehäuse in Reihe geschalteten Diodenchips, sogenannten Diodenkaskaden. Bei besonders hohen Frequenzen werden bis etwa 200 V Sperrspannung `F33f`_`[Silicium`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Silicium]`_`f-`F33f`_`[Schottky-Dioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Schottky-Diode]`_`f eingesetzt. Bei hohen Sperrspannungen (aktuell bis etwa 1600 V), hohen Frequenzen und Einsatztemperaturen werden immer öfter `F33f`_`[Siliciumcarbid`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Siliciumcarbid]`_`f-Schottky-Dioden eingesetzt.`:cite-ref-14[`F5bf`_`[14`#cite-note-14]`_`f] Diese haben wie auch Silicium-Schottky-Dioden keine Schaltverluste.

`!Kleinsignaldioden`!

`F33f`_`[Kleinsignal`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Kleinsignal]`_`f-Dioden dienen der Gleichrichtung von kleinen Strömen und Signalen (`F33f`_`[Demodulator`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Demodulator]`_`f, siehe auch `F33f`_`[Spitzendiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Spitzendiode]`_`f, hierfür wurden früher auch Röhrendioden verwendet), als `F33f`_`[Mischer`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Mischer_(Elektronik)]`_`f, als Spannungsreferenz, zur Temperaturmessung bzw. -kompensation (Flussspannung (`F33f`_`[s. o.`#formelzeichen]`_`f) bei Siliziumdioden ca. 0,7 V, temperaturabhängig) und als `F33f`_`[Schaltdiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Schaltdiode]`_`f für einfache Logikverknüpfungen.

`!Spannungsstabilisierung`!

Für die Spannungsstabilisierung und zur Überspannungsbegrenzung kommen `F33f`_`[Zener-Dioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Zener-Diode]`_`f (auch `*Z-Diode`* genannt) und die ähnlich aufgebauten `F33f`_`[Suppressordioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Suppressordiode]`_`f zum Einsatz. Hier wird der in Sperrrichtung auftretende `F33f`_`[Zenereffekt`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Zenereffekt]`_`f und der `F33f`_`[Avalancheeffekt`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Avalancheeffekt]`_`f genutzt. Bipolare Suppressordioden für den Einsatz an Wechselspannung bestehen aus zwei gegeneinander in Serie geschalteten unipolaren Dioden.

`!Stromstabilisierung`!

Die `F33f`_`[Stromregeldiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Stromregeldiode]`_`f ist eigentlich eine `F33f`_`[integrierte Schaltung`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Integrierte_Schaltung]`_`f aus einem Widerstand und einem `F33f`_`[JFET`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=JFET]`_`f. Sie dient als `F33f`_`[Konstantstromquelle`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Konstantstromquelle]`_`f.

`!Optik`!

Optischen Zwecken dienen die `F33f`_`[Laserdiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Laserdiode]`_`f, die `F33f`_`[Photodiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Photodiode]`_`f, die `F33f`_`[Avalanche-Photodiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Avalanche-Photodiode]`_`f und die `F33f`_`[Leuchtdiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Leuchtdiode]`_`f (kurz `*LED`*).

`!`F33f`_`[Kapazitätsdioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Kapazitätsdiode]`_`f`!

Sie werden auch `*Varaktor`* oder `*Varaktordiode`* genannt. Es sind Dioden, deren von der Sperrspannung abhängige Sperrschichtkapazität als steuerbarer `F33f`_`[Kondensator`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Kondensator_(Elektrotechnik)]`_`f dient. Einsatzbeispiel: Senderabstimmung bei Rundfunkempfängern.

`!Gesteuerte Gleichrichter und verwandte Bauelemente`!

Zur Gruppe der gesteuerten Gleichrichter gehören die `F33f`_`[Vierschichtdiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Vierschichtdiode]`_`f und der `F33f`_`[Thyristor`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Thyristor]`_`f. Des Weiteren werden der `F33f`_`[Diac`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Diac]`_`f sowie der `F33f`_`[Unijunction-Transistor`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Unijunction-Transistor]`_`f hinzugerechnet.

`!Schalten und Modulieren`!

`F33f`_`[Pin-Dioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Pin-Diode]`_`f werden in der Hochfrequenztechnik als steuerbare Dämpfungsglieder oder HF-Schalter eingesetzt.`:cite-ref-stiny-15-0[`F5bf`_`[15`#cite-note-stiny-15]`_`f] Ein Einsatzbeispiel ist die Bereichsumschaltung analoger `F33f`_`[Tuner`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Tuner_(Empfang)]`_`f in Fernsehern.

Neben den oben genannten Diodentypen gibt es noch eine ganze Reihe von weiteren Typen, die sich keiner bestimmten Kategorie zuordnen lassen oder seltener eingesetzt werden.

Der `F33f`_`[Avalancheeffekt`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Avalancheeffekt]`_`f wird in `F33f`_`[Avalanchedioden`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Avalanchediode]`_`f ausgenutzt. Weitere Dioden sind die Feldeffektdiode (Curristor), die `F33f`_`[Gunndiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Gunndiode]`_`f, die `F33f`_`[Tunneldiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Tunneldiode]`_`f, der `F33f`_`[Sirutor`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Sirutor]`_`f, die `F33f`_`[IMPATT-Diode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=IMPATT-Diode]`_`f oder Lawinenlaufzeitdiode (kurz `*LLD`*) und die `F33f`_`[Speicherschaltdiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Speicherschaltdiode]`_`f (engl. `*Step-Recovery-Diode`*), eine Sonderform der `F33f`_`[Ladungsspeicherdiode`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Ladungsspeicherdiode]`_`f.

>>Wortherkunft

Das Wort `*Diode`* stammt von `F33f`_`[altgriechisch`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Altgriechische_Sprache]`_`f δίοδος `*díodos`* „Durchgang“, „Pass“, „Weg“; das weibliche `F33f`_`[Substantiv`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Substantiv]`_`f setzt sich zusammen aus der `F33f`_`[Präposition`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Präposition]`_`f διά `*diá`* „durch“, „hindurch“ sowie dem Wort ὁδός `*hodós`* „Weg“.`:cite-ref-16[`F5bf`_`[16`#cite-note-16]`_`f]

>>Literatur

• `F33f`_`[Ulrich Tietze`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Ulrich_Tietze]`_`f, Christoph Schenk, Eberhard Gamm: `*Halbleiter-Schaltungstechnik.`* 12. Auflage. Springer, Berlin 2002, ISBN 3-540-42849-6.

• `F33f`_`[Marius Grundmann`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Marius_Grundmann]`_`f: `*The Physics of Semiconductors. An Introduction Including Device and Nanophysics.`* Springer, Berlin 2006, ISBN 3-540-25370-X (eng.).

• `F33f`_`[Holger Göbel`:/page/entry.mu`zim=wikipedia_de_all_nopic_2026-01.zim|entry_path=Holger_Göbel]`_`f: `*Einführung in die Halbleiter-Schaltungstechnik.`* 2. Auflage. Springer, Berlin 2006, ISBN 3-540-34029-7.

>>Weblinks

Commons

: Dioden

– Sammlung von Bildern, Videos und Audiodateien

Wiktionary: Diode

– Bedeutungserklärungen, Wortherkunft, Synonyme, Übersetzungen

• Vom Dioden-Schalter zum elektronischen UKW-Antennenumschalter

• interaktives Lernprogramm

• Halbleiterdioden

• Die Kennlinie des pn-Übergangs

• pn-Übergang in Bildergalerien

>>Einzelnachweise

`:cite-note-1`!1.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-1]`_`f Stefan Goßner: `*Grundlagen der Elektronik.`*, 11. Auflage, Shaker, 2019, ISBN 978-3-8440-6784-2, Kapitel 2: "Der pn-Übergang"

`:cite-note-2`!2.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-2]`_`f Leonhard Stiny: `*Aktive elektronische Bauelemente: Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile.`* 2. Auflage. Springer Vieweg, 2015, S. 72.

`:cite-note-3`!3.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-3]`_`f Sebastian Dworatschek: `*Grundlagen der Datenverarbeitung.`* 2. Auflage. de Gruyter, 1989, S. 234.

`:cite-note-4`!4.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-4]`_`f Ralph Weißel, Franz Schubert: `*Digitale Schaltungstechnik.`* Springer, 1990, S. 22 f.

`:cite-note-5`!5.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-5]`_`f Thomas Mühl: `*Einführung in die elektrische Messtechnik: Grundlagen, Messverfahren, Geräte.`* 2. Auflage. Teubner, 2006, S. 100.

`:cite-note-6`!6.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-6]`_`f Johann Siegl, Edgar Zocher: `*Schaltungstechnik: Analog und gemischt analog/digital.`* 6. Auflage. Springer Vieweg, 2018, S. 96.

`:cite-note-7`!7.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-7]`_`f Reiner Herberg: `*Elektronik: Einführung für alle Studiengänge.`* Vieweg, 2002, S. 66.

`:cite-note-8`!8.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-8]`_`f Klaus Bystron, Johannes Borgmeyer: `*Grundlagen der Technischen Elektronik.`* Hanser, 1988, S. 48.

`:cite-note-9`!9.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-9]`_`f Wolfgang Reinhold: `*Elektronische Schaltungstechnik: Grundlagen der Analogelektronik.`* 3. Auflage. Hanser, 2020, S. 58

`:cite-note-10`!10.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-10]`_`f Reinhold Paul: `*Elektrotechnik und Elektronik für Informatiker, Band 2: Grundgebiete der Elektronik.`* Teubner, 1995, S. 37

`:cite-note-11`!11.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-11]`_`f Herbert Bernstein: `*Elektronik: Grundlagen.`* de Gruyter, 2016, ISBN 978-3-11-046310-1, S. 141

`:cite-note-12`!12.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-12]`_`f Datenblatt BB 130, abgerufen am 19. Mai 2022.

`:cite-note-13`!13.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-13]`_`f http://www.vishay.com/docs/84064/anphyexp.pdf Seite 2 typ. Zeitverlauf

`:cite-note-14`!14.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-14]`_`f http://dtsheet.com/doc/1318617/c4d02120a---cree--inc 1200V-SiC-Schottky-Diode

`:cite-note-stiny-15`!15.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-stiny-15-0]`_`f L. Stiny: Handbuch aktiver elektronischer Bauelemente. Franzis’ Verlag, 2009, ISBN 978-3-7723-5116-7, S. 186 f.

`:cite-note-16`!16.`! `F0af`_`[↑`#cite-ref-16]`_`f Wilhelm Gemoll: `*Griechisch-Deutsches Schul- und Handwörterbuch.`* München / Wien 1965.

`c`F0af`_`[↑ Back to top`#top]`_`f`a